品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:25pF@10V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2.6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000BU
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:25pF@10V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:20pF@15V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:200mV@1nA
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2.6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000BU
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:20pF@15V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:200mV@1nA
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:20pF@15V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:200mV@1nA
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:10mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:20pF@15V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:200mV@1nA
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:25pF@10V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:20pF@15V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:200mV@1nA
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2.6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:25pF@10V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:2.6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:20pF@15V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:200mV@1nA
工作温度:-55℃~135℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:10mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Linear Integrated Systems
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
类型:2N-通道(双)
ECCN:EAR99
输入电容:25pF@10V
功率:400mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:300mV@0.1µA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:散装
漏源饱和电流:17mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000BU
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: