采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP263N1001TR-G
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP263N1001TR-G
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP263N1001TR-G
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@5V
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：180mΩ@10V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP263N1001TR-G
功率：400mW
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C010UNT2L
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：470mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
