品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP233P1501TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.9V@250μA
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP233P1501TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.9V@250μA
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP233P1501TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.9V@250μA
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP233P1501TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.9V@250μA
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP233P1501TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.9V@250μA
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP233P1501TR-G
功率:400mW
阈值电压:1.9V@250μA
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1.3V@250μA
输入电容:1.05nF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:400mW
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:200mΩ@10V,1.95A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:1.13A
输入电容:200pF@15V
类型:1个P沟道
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: