采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V€150@500mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：220@500mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6007}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4402UPEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：220@500mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"16+"：2508，"18+"：135000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V€150@500mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：45000，"21+"：30000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：150@500mA，5V€60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：220@500mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：220@500mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：220@500mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V€300@100mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€40V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V€300@100mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€40V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V€300@100mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€40V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：150@500mA，5V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V€150@500mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V€150@500mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V€220@500mA，2V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：220@500mA，2V€60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD280UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@20V
连续漏极电流：870mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：340mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@10V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM4401UNEZ
工作温度：150℃
功率：400mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
