采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：1.08nC@10V
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：1个N沟道
导通电阻：160Ω@10V，16mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
功率：610mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@4.5V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：1.08nC@10V
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：1个N沟道
导通电阻：160Ω@10V，16mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：610mW
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：1.08nC@10V
输入电容：21.8pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：1个N沟道
导通电阻：160Ω@10V，16mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UFDE-7
功率：610mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@4.5V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
