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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
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功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
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栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM070NH04LCV RGG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.376nF@25V
连续漏极电流：54A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1A04PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1A04PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1A04PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1A04PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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