品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8003KNXC7G
功率:36W
阈值电压:4.5V@2mA
栅极电荷:11.5nC@10V
输入电容:300pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32.5nC@10V
输入电容:1.82nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.6pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,6A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF710PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM070NH04LCV RGG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.376nF@25V
连续漏极电流:54A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM7788
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:3.415nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:232pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM7788
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:3.415nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:232pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM7788
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:3.415nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:232pF@15V
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8003KNXC7G
功率:36W
阈值电压:4.5V@2mA
栅极电荷:11.5nC@10V
输入电容:300pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32.5nC@10V
输入电容:1.82nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.6pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,6A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JSM7788
输入电容:3.415nF@15V
漏源电压:30V
阈值电压:1.6V@250μA
类型:1个N沟道
功率:36W
反向传输电容:232pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:4.5mΩ@10V,20A
连续漏极电流:40A
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:方舟微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMD4523E
功率:36W
连续漏极电流:3.75A
类型:1个N沟道
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:623pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@25V
导通电阻:2.2Ω@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT12N70F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:32.5nC@10V
输入电容:1.82nF@25V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.6pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,6A
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: