品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R040S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3127pF@300V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@13A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R040S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@790µA
栅极电荷:83nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3127pF@300V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@13A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R040S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3127pF@300V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@13A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":191}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7434TRL7PP
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:3.9V@250µA
栅极电荷:315nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10250pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R040S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3127pF@300V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@13A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:18A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@10V,80A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R040S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@790µA
栅极电荷:83nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3127pF@300V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@13A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R050G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@800µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R040S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4.5V@790µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3127pF@300V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@13A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: