采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2182，"19+"：2484，"21+"：970，"22+"：4953，"23+"：111800，"24+"：3119，"MI+"：3339}
包装规格(MPQ)：434psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S308ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2350pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1317}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF9Z34N
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C453NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：107A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ418EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@10A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
