采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：1V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2488，"22+"：835，"23+"：1050}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：102A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：102A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：102A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2488，"22+"：835，"23+"：1050}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：102A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：2488，"22+"：835，"23+"：1050}
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
阈值电压：2.5V
包装方式：Reel
漏源电压：40V
连续漏极电流：102A
功率：68W
栅极电荷：23nC
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
导通电阻：3.3mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：2488，"22+"：835，"23+"：1050}
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
阈值电压：2.5V
包装方式：Reel
漏源电压：40V
连续漏极电流：102A
功率：68W
栅极电荷：23nC
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
导通电阻：3.3mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：1V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA66EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：98nC@10V
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS3D5N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：102A
类型：MOSFET
导通电阻：3.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，16A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT650N15K
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：600pF@75V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.8pF@75V
导通电阻：59mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，16A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2222
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ34NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，16A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD350N06LGBTMA1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：29A
阈值电压：2V@28μA
栅极电荷：13nC@5V
类型：1个N沟道
输入电容：800pF@30V
导通电阻：35mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
功率：68W
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
