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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
输入电容：1040pF@12V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
栅极电荷：12.7nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW1C026ZPT2CR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES6U1T2R
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES6U1T2R
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A040ZPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES6U1T2R
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A040ZPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A040ZPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@6V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES6U1T2R
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1C065UNTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW1C026ZPT2CR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5A040ZPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：P-Channel
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A070ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：58nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7400pF@6V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MTM761110LBF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
