采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7003P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：340mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7001C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流：510mA€340mA
类型：N和P沟道
导通电阻：2Ω@510mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：510mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7003P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：340mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7003P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：66pF@25V
连续漏极电流：340mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7001C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流：510mA€340mA
类型：N和P沟道
导通电阻：2Ω@510mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDC7001C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V€66pF@25V
连续漏极电流：510mA€340mA
类型：N和P沟道
导通电阻：2Ω@510mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
