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    功率: 700mW
    漏源电压: 12V
    类型: P沟道
    当前匹配商品:200+
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    参数
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    价格
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ES6U1T2R

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A070ZPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@6V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A060ZPTR 起订9000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A060ZPTR 起订9000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3662,"09+":15000,"10+":55476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A020ZPTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A020ZPTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A070ZPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@6V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A070ZPTR 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A070ZPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:58nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7400pF@6V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ES6U1T2R

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A020ZPTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A020ZPTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ES6U1T2R

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A020ZPTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A020ZPTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A020ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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