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    连续漏极电流
    功率: 700mW
    类型: P沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1V@250µA
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":354,"22+":14000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":307000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":30000,"22+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订25个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订25个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":25707}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3180PZTBG 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3180PZTBG 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3180PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订1380个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订1380个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PT1G 起订1690个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PT1G 起订1690个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":300645}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订1084个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订1084个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1000,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PT1G 起订1690个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PT1G 起订1690个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1123}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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