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    功率: 700mW
    类型: P沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3413L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:857pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C020TPTL 起订24个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C020TPTL 起订24个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C020TPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:4.9nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":354,"22+":14000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订14个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订14个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:4.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订43个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订43个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1508

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441BT1G 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441BT1G 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":750,"09+":18000,"10+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441BT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C020TPTL 起订4000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C020TPTL 起订4000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C020TPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:4.9nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C025TPTL 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5C025TPTL 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5C025TPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":30000,"22+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3413L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:857pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订25个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2301ACX RFG 起订25个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@15V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:4.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025P02HZGTL 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025P02HZGTL 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR025P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:4.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025P02HZGTL 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025P02HZGTL 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR025P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:4.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02HZGTL 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02HZGTL 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@34µA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":25707}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02HZGTL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02HZGTL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@34µA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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