采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM6002-3/TR
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，370mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
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功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM6002-3/TR
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，370mA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM6002-3/TR
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，370mA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
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功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM6002-3/TR
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，370mA
漏源电压：60V
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM6002-3/TR
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@10V，370mA
功率：370mW
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：60V
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM6002-3/TR
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，370mA
漏源电压：60V
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM6002-3/TR
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，370mA
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@5V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@5V，115mA
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：870pC@10V
功率：370mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，115mA
阈值电压：2V@250μA
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：23pF@25V
功率：370mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：180mA
漏源电压：60V
导通电阻：6Ω@5V，115mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：23pF@25V
功率：370mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：180mA
导通电阻：5Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：23pF@25V
功率：370mW
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：180mA
导通电阻：5Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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