品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP1488WT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:30pF@10V
导通电阻:90mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP1488WT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4nC@4.5V
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
反向传输电容:30pF@10V
导通电阻:90mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
功率:290mW
阈值电压:700mV@250μA
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP1480WT1G
功率:290mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:310mΩ@2.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP1488WT1G
栅极电荷:4nC@4.5V
反向传输电容:30pF@10V
连续漏极电流:1.5A
功率:290mW
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@4.5V,1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2101W
导通电阻:100mΩ@4.5V,1A
功率:290mW
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:1.4A
阈值电压:700mV@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP31D7LW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:2.6V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@15V
连续漏极电流:380mA
类型:1个P沟道
导通电阻:900mΩ@420mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: