品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2150
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2150
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2150
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2149
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
导通电阻:42mΩ@5A,10V
功率:53W
输入电容:2152pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2149
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K45-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2149
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:管件
输入电容:630pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: