包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：4V

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

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栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：93590，"20+"：643，"9999"：148，"MI+"：2880}

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R145CFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：31nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：93590，"20+"：643，"9999"：148，"MI+"：2880}

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R145CFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：31nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

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连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

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功率：83W

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连续漏极电流：138A

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导通电阻：2.3mΩ

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包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

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功率：83W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

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功率：83W

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栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT360N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

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包装方式：Reel

连续漏极电流：10A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

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包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

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包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT360N65S3

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功率：83W

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包装方式：Reel

连续漏极电流：10A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT360N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V

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包装方式：Reel

连续漏极电流：10A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：4V

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：93590，"20+"：643，"9999"：148，"MI+"：2880}

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R145CFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：31nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

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包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：1133

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC027N04LS G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：85nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

功率：83W

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包装方式：Reel

栅极电荷：32nC

漏源电压：40V

导通电阻：2.3mΩ

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连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

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阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

栅极电荷：36nC

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：1133

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC027N04LS G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：85nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1