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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R145CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R145CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@340µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@400V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0702LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R380E6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R380E6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90R1K2C3ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90R1K2C3ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90R1K2C3ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@310µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R385CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7545TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7545TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7545TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.7V@100µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3890pF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@51A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0805LSATMA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0805LSATMA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC027N06LS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420ATRPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420ATRPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420ATRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R380C6ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R380C6ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R380C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD06N80C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD06N80C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD06N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08N50C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08N50C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:7.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD07N60C3ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD07N60C3ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N60ZT4G 起订36个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1223

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R380C6 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R380C6 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R380C6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50P03B-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC50P03B-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC50P03B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6464pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90R1K2C3 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90R1K2C3 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90R1K2C3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@310µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.8A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD7N60TM-WS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R380C6ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB65R380C6ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":3263,"13+":12860}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB65R380C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R380C6 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R380C6 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1904

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R380C6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@320µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@100V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2008}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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