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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@20V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ463EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ463EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@20V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40B207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@57A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40B207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@57A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@20V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R0-40MSHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R0-40MSHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@20V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ422EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ422EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@20V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40R207 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40R207 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40R207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R0-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R0-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M5R0-40HX

    工作温度:175℃

    功率:83W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@85A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40B207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@57A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40B207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@57A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ422EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ422EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@20V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40R207 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40R207 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40R207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40R207 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40R207 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40R207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ463EP-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ463EP-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ463EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40R207 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40R207 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40R207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R0-40HX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M5R0-40HX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M5R0-40HX

    工作温度:175℃

    功率:83W

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@85A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC0D9N04CL 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:143nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8500pF@20V

    连续漏极电流:313A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ422EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ422EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ422EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4660pF@20V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF40B207 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF40B207

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@50µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2110pF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@57A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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