品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:4.5V@320µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD7S60
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
栅极电荷:8.2nC@10V
漏源电压:600V
阈值电压:3.9V@250µA
输入电容:372pF@100V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:4.5V@320µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:920pF@25V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1223
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:795pF@100V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9.5A
漏源电压:600V
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:9A
漏源电压:600V
阈值电压:3.5V@340µA
输入电容:790pF@100V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@340µA
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
栅极电荷:31nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:1330pF@400V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1904
规格型号(MPN):IPD60R380C6
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:700pF@100V
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:10.6A
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:600V
阈值电压:3.5V@320µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R145CFD7ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@340µA
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
栅极电荷:31nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:1330pF@400V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1904
规格型号(MPN):IPD60R380C6
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:700pF@100V
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:10.6A
栅极电荷:32nC@10V
漏源电压:600V
阈值电压:3.5V@320µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:9A
漏源电压:600V
阈值电压:3.5V@340µA
输入电容:790pF@100V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
功率:83W
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:1223
规格型号(MPN):NDD04N60ZT4G
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@50µA
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@340µA
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
栅极电荷:31nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:1330pF@400V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD07N60C3ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@350µA
漏源电压:600V
输入电容:790pF@25V
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R380P6ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@3.8A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:877pF@100V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:4.5V@320µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@340µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N60NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R385CPATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@5.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: