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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
输入电容：10015pF@6V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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