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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86140
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@50V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@11.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
