采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ14GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ14GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ963EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ963EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ963EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ963EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLIZ14GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L(T6L1，NQ)
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ963EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ963EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLIZ14GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ963EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLIZ14GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ14GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ14GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：27W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：8.4nC@5V
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ8S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：27W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：104mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
