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    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCM13N03-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MCM13N03-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCM13N03-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:584pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3224pF@60V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCM13N03-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MCM13N03-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCM13N03-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5485NLWFT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5485NLWFT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5485NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@25V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:44mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3224pF@60V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3224pF@60V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H007LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H007LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3224pF@60V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8003SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8003SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8952pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5485NLWFT1G 起订319个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5485NLWFT1G 起订319个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5485NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@25V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:44mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4265EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.8A

    类型:MOSFET

    导通电阻:32mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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