品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
功率:71W
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD180N10N3GATMA1
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:18mΩ@33A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
输入电容:1800pF@50V
漏源电压:100V
阈值电压:3.5V@33µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
功率:71W
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S53R1ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.4V@30µA
输入电容:2310pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25CN10NGATMA1
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2070pF@50V
栅极电荷:31nC@10V
连续漏极电流:35A
阈值电压:4V@39µA
导通电阻:25mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N06S5N050ATMA1
阈值电压:3.4V@29µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:71W
栅极电荷:30.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2200pF@30V
导通电阻:5mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":972,"MI+":1526}
规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
阈值电压:4V@35µA
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:3440pF@25V
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N06S5N050ATMA1
阈值电压:3.4V@29µA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:71W
栅极电荷:30.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2200pF@30V
导通电阻:5mΩ@20A,10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":5000,"MI+":2463}
规格型号(MPN):IPD90N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.8mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD180N10N3GATMA1
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:18mΩ@33A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
输入电容:1800pF@50V
漏源电压:100V
阈值电压:3.5V@33µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD180N10N3GATMA1
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:18mΩ@33A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
输入电容:1800pF@50V
漏源电压:100V
阈值电压:3.5V@33µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":331,"22+":660,"23+":58552,"24+":2495}
规格型号(MPN):IPD35N10S3L26ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@80A,10V
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3
输入电容:4000pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:85nC@10V
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S409ATMA2
阈值电压:4V@34µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:47.1nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
输入电容:3785pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:9mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":647}
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6416ANLT4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:19A
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
功率:71W
输入电容:1000pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:74mΩ@19A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
类型:N-Channel
输入电容:1150pF@50V
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":565,"21+":710,"22+":1907,"23+":4360,"MI+":4785}
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25CN10NGATMA1
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2070pF@50V
栅极电荷:31nC@10V
连续漏极电流:35A
阈值电压:4V@39µA
导通电阻:25mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
类型:N-Channel
输入电容:1150pF@50V
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":7883}
规格型号(MPN):NTD5804NT4G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
漏源电压:40V
输入电容:2850pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@30A,10V
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:69A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N04S4L04ATMA1
栅极电荷:60nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@80A,10V
阈值电压:2.2V@35µA
输入电容:4690pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
类型:N-Channel
输入电容:1150pF@50V
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
阈值电压:2.4V@39µA
类型:N沟道
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:120V
连续漏极电流:35A
导通电阻:24mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:90A
阈值电压:4V@35µA
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:3440pF@25V
栅极电荷:43nC@10V
导通电阻:4.1mΩ@90A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19801,"23+":1299207,"24+":63159,"MI+":8900}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S53R1ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.4V@30µA
输入电容:2310pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存: