品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:160nC@10V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:160nC@10V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:160nC@10V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:160nC@10V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.9W
阈值电压:4.5V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.385nF@6V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.385nF@6V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
导通电阻:25mΩ@10V,9.3A
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.7A
类型:1个N沟道
功率:1.9W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:160nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:15A
漏源电压:60V
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:100nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:11A
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: