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    功率: 1.9W
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订数1000个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,9.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,9.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,9.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订数1500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250μA

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,5A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,9.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数500个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数10个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250μA

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,5A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,9.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,9.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250μA

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,5A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订20000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订20000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.385nF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订14000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订14000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.385nF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    导通电阻:25mΩ@10V,9.3A

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个N沟道

    功率:1.9W

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:160nC@10V

    类型:1个N沟道

    功率:1.9W

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:60V

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:100nC@10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    功率:1.9W

    连续漏极电流:11A

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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