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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
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功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
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输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
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连续漏极电流：20.2A
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栅极电荷：14.5nC@10V
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连续漏极电流：20.2A
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导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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连续漏极电流：20.2A
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栅极电荷：28nC@7.5V
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
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连续漏极电流：20.2A
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漏源电压：200V
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栅极电荷：14.5nC@10V
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连续漏极电流：20.2A
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导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
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功率：52W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：28nC@7.5V
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
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栅极电荷：28nC@7.5V
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
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规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
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功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
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功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
输入电容：1450pF@100V
栅极电荷：28nC@7.5V
连续漏极电流：20.2A
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导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
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工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：1450pF@100V
栅极电荷：28nC@7.5V
连续漏极电流：20.2A
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
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功率：52W
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输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
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漏源电压：150V
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功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@7.5V
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输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
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导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
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功率：52W
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栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS888DN-T1-GE3
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功率：52W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR616DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：50.5mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：4.2V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
输入电容：420pF@75V
连续漏极电流：20.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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