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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N050HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N050HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N050HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N050HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4406，"21+"：13111，"22+"：15233，"23+"：15806}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N050HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N050HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@13µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
