品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:16mΩ@40A,10V
功率:3W€136W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":4714,"23+":4990}
规格型号(MPN):BSC037N08NS5TATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@72µA
功率:3W€136W
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
输入电容:4200pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:58nC@10V
连续漏极电流:22A€100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:1800pF@25V
导通电阻:90mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2400pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:52mΩ@5A,10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1725pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N06NATMA1
连续漏极电流:25A€100A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.8V@75µA
功率:3W€136W
输入电容:4100pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
栅极电荷:56nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2400pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2400pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2400pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:16mΩ@40A,10V
功率:3W€136W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":3222,"21+":530}
规格型号(MPN):IPB026N06NATMA1
连续漏极电流:25A€100A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.8V@75µA
功率:3W€136W
输入电容:4100pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:51nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
输入电容:1800pF@25V
导通电阻:90mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:2400pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:16mΩ@40A,10V
功率:3W€136W
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
栅极电荷:60nC@10V
阈值电压:3V@270µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
输入电容:4411pF@50V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:19.5A€131A
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:52mΩ@5A,10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1725pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:52mΩ@5A,10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1725pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
栅极电荷:60nC@10V
阈值电压:3V@270µA
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€136W
输入电容:4411pF@50V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:19.5A€131A
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.8V@75µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@30V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.8V@75µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@30V
连续漏极电流:25A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD25N15-52-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: