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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD2110TT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1072pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：NTHD2110TT1G
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
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输入电容：1072pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.4A，4.5V
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规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
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连续漏极电流：3.3A
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规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
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