品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.3A,10V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
功率:1.1W
输入电容:637pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVP4525E6TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:250V
栅极电荷:3.45nC@10V
连续漏极电流:197mA
类型:P沟道
导通电阻:14Ω@200mA,10V
功率:1.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P03XTA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
输入电容:825pF@25V
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
栅极电荷:46nC@10V
导通电阻:75mΩ@2.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-BE3
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
栅极电荷:15.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:80mΩ@4A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:3.6A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.8nC@10V
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V
阈值电压:700mV@250µA
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
功率:1.1W
输入电容:320pF@15V
漏源电压:20V
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17E6QTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.3A,10V
栅极电荷:17.7nC@10V
功率:1.1W
输入电容:637pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6050SFG-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1293pF@30V
连续漏极电流:4.8A
漏源电压:60V
类型:P沟道
功率:1.1W
导通电阻:50mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
输入电容:700pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
栅极电荷:15.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@4A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
栅极电荷:15.8nC@10V
类型:P沟道
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:80mΩ@4A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V
类型:P沟道
功率:1.1W
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
输入电容:300pF@10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: