采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KB5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.5nC@10V
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：44mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8JB5TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K26TR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@20V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8K22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@20V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@6.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8MB5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.5nC@10V€17.2nC@10V
输入电容：150pF@20V€920pF@20V
连续漏极电流：4.5A€5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：44mΩ@4.5A，10V€41mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8M22TCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@10µA€3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@20V€450pF@20V
连续漏极电流：4.5A€2A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
