采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"93+"：455}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRLS8409-7TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16488pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40SC209
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：267nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15270pF@25V
连续漏极电流：478A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40014EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15525pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7430TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14240pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFSA8409-7TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13975pF@25V
连续漏极电流：523A
类型：N沟道
导通电阻：0.69mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMNR70-40SSHJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：202nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15719pF@25V
连续漏极电流：425A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFSA8409-7TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13975pF@25V
连续漏极电流：523A
类型：N沟道
导通电阻：0.69mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120P04-04L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：330nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13980pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S0R7-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：202nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15719pF@25V
连续漏极电流：425A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40010EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11155pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7430TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14240pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S0R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：267nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21162pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：800nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7430TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13975pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFSA8409-7TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13975pF@25V
连续漏极电流：523A
类型：N沟道
导通电阻：0.69mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40010EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17100pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S0R7-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：202nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15719pF@25V
连续漏极电流：425A
类型：N沟道
导通电阻：0.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S0R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：267nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21162pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：800nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7430TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13975pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-40SSHJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7430TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14240pF@25V
连续漏极电流：195A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFS8409-7TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13975pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S1R0-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10322pF@25V
连续漏极电流：325A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S0R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：267nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21162pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS7430TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：460nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13975pF@25V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7S0R5-40HJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：267nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21162pF@25V
连续漏极电流：500A
类型：N沟道
导通电阻：0.55mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
