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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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功率：375W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
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连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
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包装方式：管件
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连续漏极电流：120A
类型：P沟道
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SUP70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：120A
类型：P沟道
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
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功率：375W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14100pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
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功率：375W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
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输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：14100pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM120P10_10M1LGE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
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功率：375W
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类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
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规格型号(MPN)：SQM120P10_10M1LGE3
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类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
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规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3
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输入电容：14100pF@25V
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类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
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类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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品牌：VISHAY
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工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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输入电容：7000pF@50V
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类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
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导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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