销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP60020E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：151.2nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2.8mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

栅极电荷：275nC@10V

阈值电压：2.4V@250μA

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

漏源电压：40V

工作温度：-55℃~+175℃

输入电容：15.78nF@20V

功率：375W

导通电阻：990mΩ@20A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.4V@250μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：15.78nF@20V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：990mΩ@20A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM30010EL_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：1.5V

栅极电荷：450nC

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM30010EL_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：1.5V

栅极电荷：450nC

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM100P10-19L_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：350nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14.1nF@25V

连续漏极电流：93A

类型：1个P沟道

导通电阻：19mΩ@30A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：800psc

规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3

连续漏极电流：65A

包装方式：卷带（TR）

栅极电荷：75nC@10V

类型：1个N沟道

漏源电压：250V

导通电阻：30mΩ@15A，10V

工作温度：-55℃~+175℃

输入电容：4.05nF@25V

阈值电压：3.5V@250μA

功率：375W

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM30010EL_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：1.5V

栅极电荷：450nC

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM30010EL_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：1.5V

栅极电荷：450nC

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1