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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：165nC@10V
输入电容：12nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：165nC@10V
输入电容：12nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：165nC@10V
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：3.5V@250μA
功率：375W
漏源电压：80V
输入电容：12nF@25V
连续漏极电流：120A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SQM10250E_GE3
连续漏极电流：65A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：75nC@10V
类型：1个N沟道
漏源电压：250V
导通电阻：30mΩ@15A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：4.05nF@25V
阈值电压：3.5V@250μA
功率：375W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
