采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06CP ROG
工作温度：150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AD5
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5044pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
