品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA80DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9530pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.62mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:81nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA80DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9530pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.62mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: