采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP08N80C3
功率：104W
阈值电压：3.9V@470μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，5.1A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415PBF-JSM
功率：104W
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3415PBF-JSM
功率：104W
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP250N
功率：104W
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，20A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G70N04T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：4.01nF@20V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP08N80C3
功率：104W
阈值电压：3.9V@470μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，5.1A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP08N80C3
功率：104W
阈值电压：3.9V@470μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，5.1A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP08N80C3
功率：104W
阈值电压：3.9V@470μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：650mΩ@10V，5.1A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6L120BGTB1
功率：104W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：3.52nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.7mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS006N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@260μA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.365nF@60V
连续漏极电流：93A
类型：1个N沟道
反向传输电容：5.8pF@60V
导通电阻：5mΩ@10V，46A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
