采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS5N10MC
功率：830mW
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5Ω@500mA，10V
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
功率：830mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：190mA
功率：830mW
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
输入电容：40pF@10V
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
工作温度：-65℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：300mA
阈值电压：2.5V@250μA
功率：830mW
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
输入电容：50pF@10V
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：190mA
功率：830mW
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
输入电容：40pF@10V
阈值电压：2V@1mA
漏源电压：100V
工作温度：-65℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
