品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,6.6A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,6.6A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,6.6A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTQ55P02A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:650mV@250μA
栅极电荷:46nC@4.5V
输入电容:4.6nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个P沟道
反向传输电容:459pF@10V
导通电阻:6.6mΩ@4.5V,15A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTQ55P02A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:650mV@250μA
栅极电荷:46nC@4.5V
输入电容:4.6nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个P沟道
反向传输电容:459pF@10V
导通电阻:6.6mΩ@4.5V,15A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
功率:38W
连续漏极电流:11A
输入电容:350pF@25V
类型:1个P沟道
栅极电荷:19nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP5N50
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
阈值电压:3.3V@250μA
类型:1个N沟道
连续漏极电流:5A
输入电容:657pF@25V
栅极电荷:26nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
反向传输电容:13pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
类型:1个N沟道
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
连续漏极电流:9.5A
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTQ55P02A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:650mV@250μA
栅极电荷:46nC@4.5V
输入电容:4.6nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个P沟道
反向传输电容:459pF@10V
导通电阻:6.6mΩ@4.5V,15A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):JMTQ55P02A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:650mV@250μA
栅极电荷:46nC@4.5V
输入电容:4.6nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个P沟道
反向传输电容:459pF@10V
导通电阻:6.6mΩ@4.5V,15A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:175mΩ@10V,6.6A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@25V
导通电阻:1.25Ω@10V,2.5A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
功率:38W
连续漏极电流:11A
输入电容:350pF@25V
类型:1个P沟道
栅极电荷:19nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:55V
功率:38W
连续漏极电流:11A
导通电阻:175mΩ@10V,6.6A
输入电容:350pF@25V
类型:1个P沟道
栅极电荷:19nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: