采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0379DPA-00#J5A
功率：55W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
输入电容：5.15nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1425pF@12V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1425pF@12V
连续漏极电流：79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：610000，"09+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0348DPA-00#J0
功率：55W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
输入电容：5.1nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0330DPB-01#J0
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0379DPA-00#J5A
功率：55W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
输入电容：5.15nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M10-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1249pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0379DPA-00#J5A
功率：55W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
输入电容：5.15nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：610000，"09+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0348DPA-00#J0
功率：55W
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
输入电容：5.1nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS035N03ZC
功率：55W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS035N03ZC
功率：55W
阈值电压：1.7V@250μA
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G16P03D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1995pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
