采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：20psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLF0910H9LS750PU
功率：750W
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5335pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ARF1501
功率：750W
ECCN：EAR99
包装方式：管件
类型：1个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5335pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH44N50
工作温度：-55℃~+175℃
功率：750W
阈值电压：2V
栅极电荷：108nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：44A
类型：MOSFET
导通电阻：120mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
