采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G70P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：4.714nF@20V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
反向传输电容：456pF@20V
导通电阻：7mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：47}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：551}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.96mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7084TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6560pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.25mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3203，"24+"：1270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH7004TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6419pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4003SCT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：2V
栅极电荷：75.6nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：205A
类型：MOSFET
导通电阻：3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
