品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB390N15A
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@75V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@27A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF630
工作温度:-65℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P4LLF6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2106pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@45A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M15-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.45V@1mA
栅极电荷:17nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R195C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@290µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@2.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC50N10Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2808pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@25V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y53-100B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R107M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@18V
包装方式:管件
输入电容:496pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:142mΩ@8.9A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S52R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.4V@30µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y53-100B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2421pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.26mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R220M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@18V
包装方式:管件
输入电容:289pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:286mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: