品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD30N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD30N02G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":4800}
规格型号(MPN):NTD30N02G
输入电容:1000pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:24V
包装方式:管件
导通电阻:14.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:35mΩ@4A,10V
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
工作温度:175℃
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1450pF@25V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:30A
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30P3LLH6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: