品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L08ATMA2
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.2V@120µA
输入电容:5430pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@80A,10V
栅极电荷:92nC@10V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":4517,"MI+":2245}
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
输入电容:4810pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P03A-TP
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:45A
输入电容:2152pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@20A,20V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:340pF@48V
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
输入电容:4810pF@25V
阈值电压:4V@120µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS9510L-F085
输入电容:2320pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
阈值电压:3V@250µA
功率:75W
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":4517,"MI+":2245}
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
输入电容:4810pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
输入电容:2020pF@20V
阈值电压:3V@250µA
功率:75W
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.2V@120µA
输入电容:5430pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
栅极电荷:92nC@10V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.2V@120µA
输入电容:5430pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
栅极电荷:92nC@10V
ECCN:EAR99
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.2V@120µA
输入电容:5430pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
栅极电荷:92nC@10V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
输入电容:4810pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:8.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU45P03A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2152pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4517,"MI+":2245}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P409ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@25V
连续漏极电流:73A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":627,"22+":2420,"23+":27454,"MI+":4909}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70P04P4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.2V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5430pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: