采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS1120DR
工作温度：-40℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.17A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301LK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS3A08PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3135LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS3A08PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVTX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V€420pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
